3M i IBM pracują nad chipowymi wieżami

Firmy 3M i IBM ogłosiły połączenie sił we wspólnym opracowaniu innowacyjnej technologii klejenia tradycyjnych półprzewodników, a także układów 3D.

Ten swoisty „klej” posłuży przy tworzeniu nowoczesnych smartfonów, tabletów czy też wydajnych komputerów i to przy niewielkim poborze energii elektrycznej. Według firmy IBM, produkcja pierwszych rozwiązań zawierających do 100 półprzewodnikowych płytek rozpocznie się już w przyszłym roku.

Wspólnie opracowana technologia będzie stosowana do łączenia tzw. stosów krzemowych, czyli płytek na których znajdują się rdzenie układów scalonych, w tym również układów 3D. Wspominany "klej" ma pozwolić na połączenie ze sobą do 100 chipów.

Cały proces odbywa się na zasadzie nakładania kolejnych warstw, które oddzielane są od siebie jedynie wspomnianym materiałem przypominającym klej. Zastosowana substancja będzie pełniła funkcję izolatora, oddzielającego jedną warstwę półprzewodników od drugiej.

Istniejąca do tej pory technologia pozwalała na połączenie zaledwie czterech płytek półprzewodnikowych. Blokadą dalszego spiętrzania okazał się problem odprowadzania ciepła. W technologii opracowanej przez 3M i IBM zastosowany materiał świetnie przewodzi ciepło, a zatem możliwe jest łączenie znacznie większej ilości układów - bez obawy o przegrzanie.

„Cieszymy się, że wieloletnia współpraca 3M z IBM, nasze wspólne know-how i wieloletnie doświadczenie w branży zaowocowały tak rewolucyjnym rozwiązaniem jakim jest najnowsza technologia klejenia” – podsumowuje Herve Gindre, wiceprezes 3M Electronics Markets Materials Division.

To innowacyjne rozwiązanie, oprócz łączenia ze sobą tradycyjnych półprzewodników, pozwala również na "klejenie" układów 3D. Zdaniem IBM obecnie żadna firma nie produkuje prawdziwych układów 3D, a jedynie ich namiastkę. Zarówno prawdziwe tranzystory 3D jak i ich symulacje (tri-gate) - które Intel ma zamiar zastosować przy produkcji procesorów Ivy Bridge, będą mogły być bez problemu łączone z wykorzystaniem tej najnowszej technologii.

Nowe układy mają być nawet 1000 razy bardziej wydajne niż te obecnie wykorzystywane.