Interfejsy pamięci HBM2E Samsunga trafią do sprzedaży
Flaschbolty Samsunga to wytwarzane za pomocą mikropołączeń TSV kości pamięci 16 GB, na które składa się osiem 16-gigabitowych warstw wykonanych w litografii klasy 10 nm. Maleństwa umożliwiają szybkość transferu danych do 3,2 Gb/s. Daje to przepustowość na poziomie 410 GB/s dla pakietu o pojemności 16 GB.
To pierwszy na świecie DRAM dla sztucznej inteligencji (AI) i komputerów przyszłości o takich osiągach. Tego typu sprzęt umożliwi wykonywanie ultraszybkiej analizy danych, co jest nieodzowne w przypadku obsługi AI i superkomputerów. Zapowiadane w sierpniu minionego roku kości mają, zgodnie z informacjami producenta, trafić do sprzedaży na masową skalę. Porównanie do kości drugiej generacji wykazuje wzrost szybkości działania o 1,75 na sekundę.
fot. Samsung