A A A

Nowy wymiar tranzystorów

5 maja 2011, 09:54
Nowy wymiar tranzystorów

Firma Intel Corporation ogłosiła znaczący przełom w ewolucji tranzystora, mikroskopijnego elementu, który jest budulcem nowoczesnych urządzeń elektronicznych.

Po raz pierwszy od czasu wynalezienia krzemowego tranzystora 50 lat temu, tranzystory korzystające z trójwymiarowej struktury będa podstawym budulcem produktów wprowadzonych do masowej produkcji. Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate, o których świat usłyszał po raz pierwszy w 2002 roku, będą podstawą do produkcji w 22 nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej „Ivy Bridge”.

Trójwymiarowe tranzystory Tri-Gate są znaczącym krokiem w przód i odejściem od stosowanej powszechnie technologii tranzystorów dwuwymiarowych, z których korzysta się do produkcji procesorów zasilających nie tylko komputery ale także urządzenia elektroniki konsumenckiej, systemy elektroniki samochodowej, samoloty, urządzania gospodarstwa domowego, urządzenia medyczne i tysiące różnych kategorii produktów elektronicznych.

“Naukowcy i inżynierowie Intela po raz kolejny wynaleźli tranzystor na nowo” – powiedział Paul Otellini, President and CEO Intela. “Kontynuowanie Prawa Moore’a pozwoli na powstanie niezwykłych urządzeń, kreujących zupełnie nowy świat technologii”

Naukowcy od dawna są świadomi zalet trójwymiarowej struktury tranzystorów, jako kluczowego elementu do dalszej miniaturyzacji procesorów. Pokonując kolejne etapy Prawa Moore’a i produkując tranzystory niewiele większe od rozmiaru atomu, nowe technologie są niezbędne aby stawić czoła prawom fizyki. Najważniejszym elementem dzisiejszego ogłoszenia jest możliwość masowej produkcji procesorów opartych na tranzystorach 3-D Tri-Gate, co stworzy możliwości powstawania nowych generacji urządzeń.

Prawo Moore’a jest swojego rodzaju “przepowiednią”, od ponad 40 lat dyktującą tempo rozwoju krzemowych technologii produkcji procesorów. Mówi ono, że co ok. 2 lata będzie podwajać się gęstość tranzystorów na ustalonej powierzchni, tym samym zwiększając funkcjonalność i wydajność nowych generacji procesorów, przy jednoczesnym obniżeniu kosztów produkcji.

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem będzie zwięszona wydajność i zmnieszone zapotrzebowanie na energię, w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów. Te właściwości dadzą projektantom procesorów nowe możliwości i wybór zastosowania tranzystorów o konkretnych właściwościach do produkcji chipów nastawionych na zwiększoną wydajność lub zmniejszony pobór energii.

Nowe 22nm tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porónaniu z 32nm dwu-wymiarowymi jednostkami. Jest to cecha która będzia kluczowa w zastosowaniach do smartfonów i innych urządzeń mobilnych, które wymagają coraz większej funkcjonalności i mocy przy zachowaniu długiego czasu pracy na baterii.

Alternatywnie nowe tranzystory, przy zachowaniu tej samej wydajności, konsumują o ponad 50% mniej energii, niż poprzednia 32nm generacja.


Tagi:
Ocena:
Oceń:
Komentarze (0)

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za treść komentarzy. Komentarze wyświetlane są od najnowszych.
Najnowsze aktualności


Nie zapomnij o haśle!
21 czerwca 2022
Choć mogą się wydawać mało nowoczesne, hasła to nadal nie tylko jeden z najpopularniejszych sposobów zabezpieczania swoich kont, ale także...


Załóż konto
Co daje konto w serwisie pcformat.pl?

Po założeniu konta otrzymujesz możliwość oceniania materiałów, uczestnictwa w życiu forum oraz komentowania artykułów i aktualności przy użyciu indywidualnego identyfikatora.

Załóż konto