A A A

Prototypowe pamięci FeRAM

10 lutego 2009, 11:59
Toshiba we współpracy z firmą NEC pracuje nad nowym rodzajem pamięci FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) o pojemności 128 megabitów (16 MB), z prędkością zapisu i odczytu sięgającą 1,6 Gb/s.
Prototypowe pamięci FeRAM

FeRAM to pamięci o konstrukcji podobnej do DRAM. Lepsze transfery i niższe zużycie energii to zalety prototypowego produktu. Nowe pamięci z interfejsem DDR2 przy napięciu 1,8 V oferują czas dostępu na poziomie 83 nanosekund. Według zapewnień producenta układy FeRAM znajdą zastosowanie w telefonach komórkowych, przenośnych komputerach, nośnikach SSD i innych urządzeniach mobilnych. Pamięci produkowane w procesie technologicznym 130 nm mają być zaprezentowane na konferencji International Solid-State Circuits Conference w San Francisco w dniach 8–12 lutego. Toshiba na razie nie podała informacji o rozpoczęciu masowej produkcji.

FeRAM

Źródło: TechConnect


Mateusz Nosel
Tagi: sprzęt
Ocena:
Oceń:
Komentarze (0)

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za treść komentarzy. Komentarze wyświetlane są od najnowszych.
Najnowsze aktualności




Motorola P40 – znamy specyfikację
17 lutego 2019
W internecie pojawiła się prawdopodobna specyfikacja nowego urządzenia firmy Motorola. Smartfon może wykorzystać do działania procesor...
Załóż konto
Co daje konto w serwisie pcformat.pl?

Po założeniu konta otrzymujesz możliwość oceniania materiałów, uczestnictwa w życiu forum oraz komentowania artykułów i aktualności przy użyciu indywidualnego identyfikatora.

Załóż konto