A A A

Vertical NAND 3D - trójwymiarowa pamięć

12 sierpnia 2013, 11:05
Vertical NAND 3D - trójwymiarowa pamięć

Samsung rozpoczął masową produkcję pierwszej w branży trójwymiarowej pamięci flash typu Vertical NAND (3D V-NAND). Firma twierdzi, że to przełom w pokonywaniu granic miniaturyzacji pamięci NAND i zapowiedź nowej ery pamięci 3D.

Pojedyncze chipy Samsung V-NAND zapewniają pojemność 128 gigabitów (Gb). Wykorzystano w nich opracowaną przez koreańską firmę pionową strukturę komórek pamięci w oparciu o technologię 3D Charge Trap Flash (CTF) oraz technologię procesu pionowego wiązania, umożliwiającą łączenie trójwymiarowych układów komórek. Dzięki zastosowaniu obu tych technologii pamięć 3D V-NAND umożliwia ponad dwukrotną miniaturyzację w porównaniu z płaską pamięcią flash klasy 20 nm.

Samsung zmodernizował architekturę CTF, opracowaną po raz pierwszy w 2006 roku. W ramach architektury NAND flash bazującej na modelu CTF, ładunek elektryczny zostaje tymczasowo uwięziony w komorze otoczonej nieprzewodzącą powierzchnią z azotku krzemu (SiN), zamiast korzystać ze swobodnej bramki zapobiegającej interferencjom pomiędzy sąsiadującymi komórkami pamięci.

Poprzez wzbogacenie warstwy CTF o trzeci wymiar udało się znacznie poprawić niezawodność i szybkość pamięci NAND. Nowa pamięć 3D V-NAND charakteryzuje się nie tylko większą niezawodnością (od 2 do 10 razy), lecz także dwukrotnie wyższą prędkością zapisu w porównaniu z konwencjonalnymi pamięciami NAND flash w technologii 10 nm ze swobodnymi bramkami.

Ponadto, jednym z najistotniejszych technologicznych osiągnięć związanych z nową pamięcią Samsung V-NAND jest autorska technologia procesu łączenia, umożliwiająca ułożenie w pionie do 24 warstw komórek pamięci dzięki specjalnej technologii trawienia, łączącej warstwy poprzez ich perforację – od warstwy najwyższej aż do podstawy. Dzięki nowej, pionowej strukturze Samsung może projektować produkty z pamięciami NAND flash o większej pojemności, powiększając trójwymiarowe warstwy komórek bez konieczności dalszej miniaturyzacji na płaszczyźnie, co obecnie stało się niezwykle trudne do osiągnięcia. -

Jak wynika z analiz IHS iSuppli, światowy rynek pamięci NAND flash osiągnie do końca 2016 roku pułap dochodów w wysokości ok. 30,8 miliarda USD (w 2013 roku około 23,6 mld USD), co oznacza 11-procentowy roczny wskaźnik wzrostu (CAGR), najwyższy w całym sektorze produkcji pamięci.


Krzysztof Mocek / Informacja prasowa
krzysztof.mocek@firma.interia.pl
Tagi:
Ocena:
Oceń:
Komentarze (0)

Redakcja nie ponosi odpowiedzialności za treść komentarzy. Komentarze wyświetlane są od najnowszych.
Najnowsze aktualności


Nie zapomnij o haśle!
21 czerwca 2022
Choć mogą się wydawać mało nowoczesne, hasła to nadal nie tylko jeden z najpopularniejszych sposobów zabezpieczania swoich kont, ale także...


Załóż konto
Co daje konto w serwisie pcformat.pl?

Po założeniu konta otrzymujesz możliwość oceniania materiałów, uczestnictwa w życiu forum oraz komentowania artykułów i aktualności przy użyciu indywidualnego identyfikatora.

Załóż konto