Dobra pamięć
Komórki pamięci RAM są ułożone jak w arkuszu kalkulacyjnym – każda ma swoją kolumnę i wiersz. Aby dostać się do danej komórki, potrzebne jest jej zaadresowanie, czyli wybranie numeru kolumny i wiersza.
Wszystkie komórki pamięci muszą być regularnie „odświeżane”, czyli pobudzane niewielkimi ładunkami elektrycznymi, by nie utraciły przechowywanych informacji (po wyłączeniu komputera zawartość RAM-u znika). Kontroler pamięci nie może więc w dowolnym momencie żądać dostępu do komórek, gdyż mogłoby to spowodować zamazanie danych.
Tutaj właśnie pojawia się rola opóźnień (tzw. timingów), które są wyrażane w liczbie cykli zegarowych. Definiują one, kiedy można przeprowadzić operacje adresowania kolumny, wiersza, odczytu komórki, jej zapisu itp. Opóźnienia te mają wpływ na prędkość działania pamięci. Im są one krótsze, tym pamięć szybciej działa. Ale nie można ich za bardzo zmniejszać, bo źle to wpłynie na działanie pamięci.
- CL (CAS# Latency – Column Address Select Latency) – liczba cykli zegara niezbędnych do tego, by kontroler mógł zacząć odczytywać lub zapisywać dane w komórkach pamięci. Wartość ta ma największy wpływ na wydajność, dlatego niektórzy producenci podają tylko ją.
- RCD (RAS# to CAS# Delay) – liczba cykli zegara, jakie muszą upłynąć od zaadresowania kolumny komórek pamięci, by kontroler mógł wyznaczyć wiersz komórek.
- RP (RAS# Precharge lub tRP) – liczba cykli zegara od poprzedniej aktywacji wiersza, by możliwe było zaadresowanie kolejnego wiersza.
- tRAS (lub RAT – Row Active Time) – liczba cykli, jaka musi upłynąć od polecenia aktywacji wiersza do jego dezaktywacji. Wartość ta musi być w najlepszym wypadku równa sumie trzech wcześniejszych opóźnień, a często jest większa.
- tRC (Row Cycle Time) – liczba cykli, przez jakie wskazany wiersz jest aktywny do przeprowadzania na nim operacji odczytu lub zapisu.
- CR (Command Rate lub CPC – Command Per Clock) – liczba cykli zegara między adresowaniem dwóch komórek pamięci. Wartość 1T zwiększa wydajność, 2T poprawia stabilność.
